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2023-12-20 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以控制工艺成本的同时，消除单元区和外围区因电容器高度形成的高阶差，改善工艺缺陷，从而提高产品良率。所述半导体器件包括：衬底、电容器图案和刻蚀阻挡图案。衬底具有外围区、单元区、以及位于外围区和单元区之间的隔断区。电容器图案形成在衬底上。电容器图案位于单元区。刻蚀阻挡图案形成在衬底上。刻蚀阻挡图案位于隔断区。刻蚀阻挡图案和电容器图案的上表面与衬底的上表面平齐。刻蚀阻挡图案的下表面至少与电容器图案的下表面平齐。本发明提供的半导体器件的制造方法

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117255554A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202210641934.8

(22)申请日2022.06.07

(71)申请人中国科学院微电子研究所

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