金氧半导体元件及其制法.pdfVIP

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2023-12-20 发布于四川
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金氧半导体元件及其制法.pdf

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本发明为一种金氧半导体元件(MOS)及其制法，该金氧半导体元件包含有一半导体基板，其区隔为一闸极区域、一源极区域及一汲极区域。其中，该半导体基板的同一表面上在该闸极区域、该源极区域及该汲极区域中，是以低阻抗的金属材料形成一连接层，在该连接层上可直接设置多个导电件(如锡球)，令金氧半导体元件可通过分布在同一表面的导电件焊接在电路板；又在该汲极区域中，布满有多个开孔，各开孔内部填充该连接层并延伸至半导体基板内部；借由前述结构，该金氧半导体元件具有低导通阻RDS(ON)的优点。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117253920A

(43)申请公布日2023.12.19

(21)申请号202211050122.2

(22)申请日2022.08.31

(30)优先权数据

63/350,8772022

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