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本发明公开了一种基于半极性超晶格结构的宽波段紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括衬底、生长在衬底上的薄膜层、淀积在薄膜层的掩膜层、以及生长在掩膜层上的光吸收层、以及复合于光吸收层上的电极层；所述光吸收层为半极性AlInGaN超晶格材料。本发明将低缺陷密度的半极性AlxGa1‑xN/InyGa1‑yN超晶格结构成功应用于紫外探测器吸收层，同时可以通过精确调节金属Al、In金属元素组分x和y，使AlxInyGa1‑x‑yN超晶格材料带隙宽度在3.4～6.2eV范围连续可调，对应的响应波长范围处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113675284A
(43)申请公布日2021.11.19
(21)申请号202110762359.2
(22)申请日2021.07.06
(71)申请人扬州大学
地址22
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