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MT29F1G08ABAEAWP兼容性评估和稳定性测试
文件当前版本号:V1.2
本文档主要是评估MT29F1G08ABAEAWP[1]芯片和K9F1G08U0E芯片的兼容性,以及测试MT29F1G08ABAEAWP芯片的稳定性。
MT29F1G08ABAEAWP芯片直接代换K9F1G08U0E芯片必须满足以下代换原则:代换IC的功能、封装形式、引脚用途、引脚序号必须相同。
注[1]:型号为K9F1G08U0E的NANDFlash芯片简称为K型E版。型号为MT29F1G08ABAEAWP的NANDFlash芯片简称为MT型。
硬件性能
表1硬件性能对比
芯片型号
MT型
K型E版
IC功能
存储数据
存储数据
封装
48-TSOP(12*20)
48-TSOP(12*20)
操作电压
3.3V(2.7V~3.6V)
3.3V(2.7V~3.6V)
可持续擦写次数
10万次以上
10万~100万次
由表1可知两种芯片硬件性能方面一致,所以硬件电路部分可直接兼容。
引脚介绍
表2MT型芯片引脚简介
引脚名称
引脚功能
CLE
命令锁存功能
ALE
地址锁存功能
CE#
芯片使能
RE#
读使能
WR#
写使能
WP#
写保护
R/B
就绪/忙输出信号
Vcc
电源
Vss
地
N.C
不接
IO0~IO7
传输数据、命令、地址
DNU
未使用
两种芯片的引脚用途、序号、以及功能,大部分引脚都相同,只有个别引脚存在差异,如下所示。
相同点:
命令、地址、数据都通过8个I/O口传输。
写命令、地址、数据时,都需要将WE、CE信号同时拉低。
数据在WE信号的上升沿被NANDFlash锁存。
命令锁存信号CLE和地址锁存信号ALE用来分辨、锁存命令或地址。
在CLE上升沿,命令被锁存。
在ALE上升沿,地址被锁存。
不同点:
通过对比两种芯片的引脚图,只有6个引脚的连接属性可能不同。
MT型芯片:P25、P48:Vss,P34、P39:Vcc,P38、P47:DNU。
K型E版芯片:P25、P48、P34、P39、P38、P47:N.C(不接)。
因为MT型芯片的数据手册中对这几个脚口是推荐连接,经过测试发现不连接这几个脚口芯片也可以正常运行,所以两种芯片的引脚兼容。
芯片内部存储布局及存储操作特点
MT型:
一片NANDFlash为一个设备(device),如图1MT型芯片物理结构图所示,其数据存储分层为:
1设备(Device)=2个平面(plane)
1个平面(plane)=512块(Blocks)
1块(Block)=64页(Pages)
1块(Page)=2112字节(Bytes)=数据块大小(2048Bytes)+OOB块大小(64Bytes)
图1MT型芯片物理结构图
MT型NANDFlash片内寻址采用28位地址形式。由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行传递数据。从表3的分段寻址表中可以看出,28位地址从第0位开始分四次通过I/O0-I/O7进行传送,并进行片内寻址。具体含义如下:
CA0-CA11位:表示页内地址(列地址)CA0~CA10,就是页内地址,地址范围是从0到2047。如果C11等于1,CA[10:6]必须为0,此时访问的地址为页的OOB区,OOB区为64byte。
PA0—PA5:为页地址(pageaddress),表示一个块有64个页。
PB6—BA15:为块地址(pageaddress),表示总共有1024个块。BA6是平面选择位,Plane0:BA[6]=0,Plane1:BA[6]=1。
表3MT型分段寻址表
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1stCycle
CA0
CA1
CA2
CA3
CA4
CA5
CA6
CA7
1ndCycle
CA8
CA9
CA10
CA11
*L
*L
*L
*L
1rdCycle
PA0
PA1
PA2
PA3
PA4
PA5
BA6
BA7
4thCycle
BA8
BA9
BA10
BA11
BA12
BA13
BA14
BA15
K型E版:
一片NANDFlash为一个设备(device),如图2K型E版芯片物理结构图所示,其数据存储分层为:
1设备(Device)=1024块(Blocks)
1块(Block)=64页(Pages)
1块(Page)=2112字节(Bytes)=数据块大小(2048Bytes)+OOB块大小(64Bytes)
图2K型E版芯片物理结构图
K型E版NANDFlash片内寻址
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