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- 2023-12-25 发布于北京
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DDR内存的终极优化(转载)
2004年的春天,ZOL准时拉开了DDR400内存专题的序幕。在我们逐步向您展示其魅力之前,请先来了解一下优化内存的相关知识。也许您已经有所了解,但绝不是全部。希望这些内容对您今后的应用有所帮助。
正文:
有关内存优化的文章其实已经有很多了,可能大家都没觉得没什么了不起的,不就是那几个参数吗?这还用讲?但是,我相信90%以上的人并没有完全真正理解那些时序参数的含义。我敢说,目前很多的优化原则都是有问题的,甚至有误导的倾向!
本人在此之前曾有一篇专门探讨内存原理与相关参数的大型专题(文章发表于《电脑高手》),其中所讲到的一些原理其实对优化就有很大的启发意义。的确,虽然在BIOS中就是那么几个可以调节的内存时序参数,但如果不正确了解它们的意思,并不是每个人都知道如何正确的调节。有人可能会说,这有什么难的,与时序相关的时序参数,肯定都是越小越好呀,错!这就是我今天要着重讲到的问题。
1、认识内存相关工作流程与参数
首先,我们还是先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述以SDRAM为例,因为时序图看起来会简单一些,但相关概念与DDRSDRAM的基本相同。
SDRAM的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Colu
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