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一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法.pdfVIP

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  • 2023-12-23 发布于四川
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一种P-EBL层及其GaN基外延结构以及生长方法.pdf

    本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种P‑EBL层及其外延结构以及生长方法。该GaN基外延结构，包括依次生长于衬底上的buffer层、UGaN层、NGaN层、应力释放层和多量子阶有源区层，所述多量子阶有源区层上还具有依次生长的低温P型GaN层、P‑EBL层和高温P型GaN层。本发明通过在低温P型GaN层插入一层不同源不同浓度掺杂的阶段式P‑EBL层，能够极大地提升LED的电子浓度和空穴浓度，并且分布均匀，能够有效地抑制电子漏电流，减缓效率衰减，从而达到提高亮度的目的。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117276432A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310959889.5

    (22)申请日2023.08.01

    (71)申请人福建兆元光电有限公司

    地址35

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