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本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第1绝缘膜、及配置在第1绝缘膜的配线。配线具有第1导电体、第1膜、第2膜及第3膜。第1导电体包含铜。第1膜设置在第1导电体的侧面及底面，包含钴。第2膜设置在第1导电体的上表面，包含硅化铜。第3膜设置在第1膜的上表面，包含硅化钴。第2膜及第3膜的位置低于第1绝缘膜的上表面。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276189A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202310017801.8
(22)申请日2023.01.06
(30)优先权数据
2022-099941202
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