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一种反极性发光二极管的制备方法.pdf

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    本发明公开了一种反极性发光二极管的制备方法，包括以下步骤：一种反极性发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一GaAs衬底，在所述GaAs衬底上依次生长缓冲层、腐蚀截止层、N型半导体层、多量子阱层、P侧波导层、P型限制层、过渡层和P型欧姆接触层，得到发光二极管外延片；对所述发光二极管外延片进行反极性处理，得到反极性发光二极管。本发明的制备方法能够提高反极性发光二极管的电流扩展性能、发光功率及大功率下的可靠性。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117276427A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202311390571.6H01L33/02(2010.01)

    (22)申请日2023.10.

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