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本申请涉及具有快速响应和高瞬态电流的ESD器件，并且公开具有对高瞬态电流快速响应的静电放电(ESD)器件(例如，300)。ESD器件包括短脉冲放电(SPD)路径和长脉冲放电(LPD)路径。SPD路径提供对ESD事件的鲁棒响应，并且SPD路径触发LPD路径的自偏置配置。有利地，SPD路径通过使短脉冲电流(诸如充电器件模型(CDM)电流)迅速放电来减少ESD电压过冲的风险，而LPD路径提供长脉冲电流(诸如人体模型(HBM)电流)的有效放电。在一个实施方式中，例如，SPD路径包括MOS晶体管(例如，3
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276272A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311453650.7
(22)申请日2018.08.01
(30)优先权数据
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