一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂.pdfVIP

一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂.pdf

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本发明特别涉及一种用于TSV高深径比通孔电沉积铜填充工艺的添加剂,属于MEMS晶圆TSV高深径比通孔电沉积铜填充领域,为整平剂中的一种。所述整平剂的化学结构式为:所述整平剂具有抑制铜沉淀的作用,且能够吸附在微孔孔口和孔外镀层凸起的高电荷密度区,故能使镀层起到整平作用,和避免了电沉积过程中孔径的缩小甚至于提前封孔的异常发生,明显降低电沉积铜填充过程中的微裂缝和微空洞出现的可能性。此整平剂与抑制剂、加速剂协同作用,可保证质量信赖性而且不影响电沉积速度。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117265604A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202310966200.1

(22)申请日2023.08.02

(71)申请人湖北兴福电子材料

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