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本发明公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOS/SOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117276319A
(43)申请公布日2023.12.22
(21)申请号202311476740.8
(22)申请日2023.11.07
(71)申请人桂林电子科技大学
地址5410
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