基于纳米3D肖特基结的光电探测器及其制备方法.pdfVIP

基于纳米3D肖特基结的光电探测器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于纳米3D肖特基结的光电探测器及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述方法包括:步骤1、在清洁后的基片的表面上淀积金属薄膜;步骤2、对基片进行真空或保护气氛下的退火,使得在基片的表面上淀积的金属薄膜自组装生长为由金属纳米颗粒组成的阵列;步骤3、将基片置于真空或者保护气氛下进行温度不低于900℃且时长不少于40min的保温,诱导金属纳米颗粒刻蚀基片,从而得到金属纳米3D肖特基结;步骤4、对基片使用包括溅射、脉冲激光淀积或蒸镀在内的物理气相淀积方法继续淀积金属,制备得到光电探测器。本

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117276400A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202311100450.3

(22)申请日2023.08.29

(71)申请人青岛大学

地址266000

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