雪崩光电二极管的特性.docxVIP

雪崩光电二极管工作特性及等效电路模型

一?工作特性

雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件，它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下进行高速定向运动，具很高动能的光生电子或空穴与晶格院子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子---空穴对；二次电子---空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又是晶格原子电离产生新的电子----空穴对，此过程像“雪崩”似的继续下去。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数定义为：

M=I/1

0

式中I为倍增输出电流，10为倍增前的输出电流。

雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切关系，碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子----空穴对数目。实际上电子电离率an和空穴电离率a,是不完全一样的，他们都与电场强度有密切关系。由实验确定，电离率a与电场强度EJ近似有以下关系：

式中，A，b，m都为与材料有关的系数。

假定an=ap=a，可以推出

M= 1

1-fXDadx

0

式中，X。为耗尽层的宽度。上式表明，当

fXDadx—?1

0

时，MF。因此称上式为发生雪崩击穿的条件。其物理意义是：在电场作用下，当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子----空穴对，就发生雪崩击穿现象。当

MT3时，PN结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压U敬.

实验发现，在反向偏压略低于击穿电压时，也会发生雪崩倍增现象，不过这时的心值较小，M随反向偏压U的变化可用经验公式近似表示为

式中，指数n与PN结得结构有关。对N+P结，nn2；对P+N结，n?4。由上式可见，

当U—Ur时，MT3，PN结将发生击穿。

适当调节雪崩光电二极管的工作偏压，便可得到较大的倍增系数。目前，雪崩光电二

极管的偏压分为低压和高压两种，低压在几十伏左右，高压达几百伏。雪崩光电二极管的倍增系数可达几百倍，甚至数千倍。

雪崩光电二极管暗电流和光电流与偏置电压的关系曲线如图所示。从图中可看到，当工作偏压增加时，输出亮电流（即光电流和暗电流之和）按指数显示增加。当在偏压较低时，不产生雪崩过程，即无光电流倍增。所以，当光脉冲信号入射后，产生的光电流脉冲信号很小（如A点波形）。当反向偏压升至B点时，光电流便产生雪崩倍增效应，这时光电流脉冲信号输出增大到最大（如B点波形）。当偏压接近雪崩击穿电压时，雪崩电流维持自身流动，使暗电流迅速增加，光激发载流子的雪崩放大倍率却减小。即光电流灵敏度随反向偏压增加而减小，如在C点处光电流的脉冲信号减小。换句话说，当反向偏压超过B点后，由于暗电流增加的速度更快，使有用的光电流脉冲幅值减小。所以最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。有时为了压低暗电流，会把向左移动一些，虽然灵敏度有所降低，但是暗电流和噪声特性有所改善。

从图中的伏安特性曲线可以看出，在雪崩击穿点附近电流随偏压变化的曲线较陡，当反向偏压有所较小变化时，光电流将有较大变化。另外，在雪崩过程中PN结上的反向偏压容易产生波动，将影响增益的稳定性。所以，在确定工作点后，对偏压的稳定性要求很高。

噪音

由于雪崩光电二极管中载流子的碰撞电离是不规则的，碰撞后的运动方向变得更加随机，所以它的噪声比一般光电二极管要大些。在无倍增的情况下，其噪声电流主要为散粒噪声。

当雪崩倍增M倍后，雪崩光电二极管的噪声电流的均方根值可以近似由公式：

12=2qIM2W

计算。其中n与雪崩光电二极管的材料有关。对于锗管，n=3,对于硅管，2.3n2.5.显然，

由于信号电流按M倍增大，而噪声按Mn2倍增大。因此，随着M的增大，噪声电流比信号电流增大得更快。

光电探测器是光纤通信和光电探测系统中光信号转换的关键器件，是光电集成电路（OEIC）接收机的重要组成部分.随着集成电路计算机辅助设计技术的发展，通过建立PIN雪崩光电二极管（APD）的数学模型,并利用计算机对其特性进行分析和研究成为OEIC设计中的重要组成部分.目前PIN-APD的等效电路模型，通常在PSPICE中模拟实现[1,2,427],这种方法能较好的进行直流、交流、瞬态分析.但无法跟踪反映PIN-APD工作过程中载流子和光子的变化，同时建模过程中一些虚拟器件的存在和计算使模型特性出现误差.本文通过求解反偏PIN结构中各区过剩载流子速率方程,建立数学模型，并对模型参数和器件进行了修正，在Matlab中进行了模拟计算.模拟结果和实际测量结果吻合较好.

二.等效电路模型

1.PIN—APD电路模型

为分析方便,采用图1所示的一维结构,并假定

光由n区入