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PMOSFET器件NBTI效应的机制与模型研究

摘要：在现代微电子器件中，MOSFET是最为常见和重要的一类器件之一。然而，随着不断推进器件尺寸和性能的发展，器件可靠性问题逐渐浮现。其中一个重要的器件可靠性问题是PMOSFET器件的负压热辞退效应(NegativeBiasTemperatureInstability,NBTI)。本文将从机制和模型两个角度对PMOSFET器件的NBTI效应进行研究。

一、NBTI效应的机制

NBTI效应是指PMOSFET器件在长时间的负偏压和高温环境下，导致漏电流增加和门电压阈值的变化的现象。这种效应主要是由硅基材料中氮杂质的迁