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化学机械抛光过程的分析

磨蚀而逐渐变光滑，或抛光垫表面微孔发生堵器使其容纳磨粒的能力降低，导致材料去除速率随时间下降，帣娑不断地修整抛光垫以恢复其表面的粗糙度和多孔性，此外，抛光垫也将产生不均匀磨损，使得抛光过程不栳定，很难进行工艺优化．（6)CMP浆料、抛光垫、修整盘等耗材的成本占CMP总成本的70％左右，其中浆料的成本占到耗材的60-80%，磨粒的利用率低下，耗材成本较高，另外，浆料中的化学成分还会对环境进行污染．

1.2.3固结磨料化学机械抛光

图1.2为固结磨料CMP系统，为了改善传统CMP的诸多问匙，固结磨料加工技术开始被研究。3M公司率先提出了固结磨料化学机械抛光(FixedabrasivesCMP, FA-CMP)技术”?）．FA-CMP是利用树脂作为结合剂将亚微米或纳米级磨料(A2l03、Si02、Ce02 等）固 结形成 圆柱形、半球形、圆锥形和棱锥形等特定形状的磨料块，然后按照一定的规伟镁嵌在有机薄膜基材表面，形成复合结构的抛光垫＂8). 抛光液是去离子水或只含有基本化学成分的水溶液，对环境污染较小．磨料块之间留有一定的空隙，便于抛光液的运输和加工产物的排除“9).

传统 CMP工艺中磨料处于游离状态，其运动轨迹不确定，容易造成材料去除不均匀：而固结磨料CMP的磨粒被固结在抛光垫中，运动轨迹相对确定，磨粒的利用效率大幅提高．与游离磨料相比，固结磨料CMP在加工时只有突出的磨粒与芯片表面接触，形成材料去除．由于接触区坡小产生较大的局部压力，对芯片的形貌有很高的选择性，而对材料没有选择性，所以只帣要少竞的材料去除就可以达到表面平坦化的要求20)?

综上所诉，固结磨料CMP具有以下优点：

(I)固结磨料CMP是基于二体式磨损机理，对工件表面形貌具有较高的选择性，能够在去除少竞材料的悄况下满足表面平坦化的娑求，降低生产成本21)?

(2)磨粒被固结在抛光垫中，加工时无帣添加化学试剂使磨料悬浮，环境污染减小。同时，磨粒被固结后，磨粒的使用时间延长，有效磨粒的数竞增多，磨粒的利用效率提高，降低了耗材成本．

(3)磨粒块按照一定的规伟排列在抛光垫表面，磨粒块之间留有间隙，用于抛光液的输送

和加工产物的排除，有效降低了抛光垫釉化和磨钝等现象．

(4)抛光垫的背面是厚度均匀的有机薄膜衬底，平铺在而形精度很高的工作台上，抛光过程中，磨粒表现出较强的位罢刚性，固结磨粒层磨损萤低、寿命长，加工表面容易清洗．

化学机械抛光技术于1965年由Walsh和Herzog首次提出91)。20世纪80年代中期，为了满足光刻工艺的平坦化娑求，IBM公司利用Strasburgh公司生产的抛光机在EastFishkill工厂进行CMP工艺研发。1988年IBM开始将CMP工艺用于4MDRAM器件的制造“O)。CMP不仅可以在材料制备阶段用于加工单晶硅衬底，更主娑用来对多层布线金属互连层的中间电介质(Inter-leveldielectric,ILD)、没沟惜隔离(Shallowtrenchisolation,STI)、绝缘体、导体和镶嵌金属(W、Cu)等进行抛光，逐渐成为提高生产效率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必帣的工艺技术”“。随若工艺的改善，CMP技术成为脆性材料加工的主流工艺技术．

传统的化学机械抛光

传统的CMP系统如图I.I所示，整个系统由旋转的工件承载装罢、研磨抛光垫工作台和抛光液（浆料）供给系统三部分组成。夹持装罢自转的同时，对工件作用一个向下的力，旋转的工件压在随工作台旋转的抛光垫上，微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动。抛光液与工件产生化学反应，形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除。由于加工过程是化学和机械的共同作用（化学成膜和机械去膜的交替过程），所以可以获得高精度、低粗

-外加压力抛光

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外加压力

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抛光垫

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乒 外加压力

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、咖晦 见光台

图I.I传统CMP系统示意图”2) 图 I.2固结磨料 CIiP系统示意图”2)

传 统的 CMP工艺星然在生产中得到了广泛的应用，但是也存在一些缺点和问匙”3-161,(I)