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2023-12-28 发布于四川
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本申请涉及一种硅片热处理承载件。硅片热处理承载件包括底板、侧围壁及承载环，其中：侧围壁与底板相连接并形成第一空腔；承载环设置于底板上，位于第一空腔内，其具有环状底壁及分别设置于环状底壁左右两侧的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁背离底壁的端部与第二侧壁背离底壁的端部相连接并形成朝上的尖端，尖端与硅片抵接并用于承载硅片。通过上述设置，承载环具有承载硅片的尖端，使得硅片与承载环之间为线接触，相对于现有技术中承载件与硅片边缘之间为面接触而言，本申请二者之间的线接触减少了承载件与硅片的热传递量，硅片边缘温度与

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220253199U

(45)授权公告日2023.12.26

(21)申请号202321751623.3

(22)申请日2023.07.05

(73)专利权人江苏卓胜微电子股份有限公司

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