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本发明涉及一种基于二维异质结的双栅调控可重构高斯晶体管及制备方法,包括栅控衬底、位于栅控衬底上并部分重叠n型二维半导体和p型二维半导体、位于n型二维半导体上的源极金属电极、位于p型二维半导体上的漏极金属电极、位于源极金属电极和漏极金属电极上的顶部栅介质层、位于顶部栅介质层上的顶部栅极。与现有技术相比,本发明利用双栅偏置电压大小和极性的不同配置实现基于二维异质结的可重构高斯晶体管,具有可重构的布尔逻辑运算功能,可以作为一个多功能图像处理单元,在硬件层面上实现可重构逻辑操作的有效方案,对并行计算的发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117293186A
(43)申请公布日2023.12.26
(21)申请号202311502821.0
(22)申请日2023.11.13
(71)申请人复旦大学
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