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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一有源柱，沿第一方向和第二方向呈阵列排布；所述第一方向和所述第二方向均与所述第一有源柱的延伸方向垂直，且所述第一方向和所述第二方向相交；多个第一电极；每一所述第一电极覆盖一个所述第一有源柱的侧壁，所述第一电极位于间隔设置的第一凹槽中，每一所述第一凹槽环绕每一所述第一有源柱的表面；多个第一介质层；每一所述第一介质层覆盖一个所述第一电极的侧壁及相邻的两个所述第一电极之间的间隙的底部；第二电极，覆盖所述多个第一介质层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117320436A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210708950.4
(22)申请日2022.06.21
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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