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常用半導體器件一、半導體導體絕緣體半導體：矽（Si）鍺（Ge）二、本征半導體的晶體結構圖1.1.1

本征半導體中的兩種載流子載流子：自由電子空穴圖1.1.2

四、本征半導體中載流子的濃度本征激發、複合、動態平衡ni、pi:自由電子與空穴濃度（）；T：熱力學溫度；k：玻爾茲曼常數（）；EGO:熱力學零度時破壞共價鍵所需的能量；K1：與半導體材料載流子有效品質、有效能級密度有關的常量。在常溫下，即T=300K時，矽材料的本征載流子濃度鍺材料的本征載流子濃度

1.1.2雜質半導體一、N型半導體純淨矽晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置。雜質原子提供電子，所以稱之為施主原子。自由電子為多數載流子，空穴為少數載流子，簡稱多子和少子。圖1.1.3

二、P型半導體純淨矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置。雜質原子提供空穴，所以稱之為受主原子。空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子，簡稱多子和少子。圖1.1