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本发明涉及一种太赫兹频段全金属慢波结构的制备方法，采用硅基材料作为慢波结构模具，通过光刻，深反应离子刻蚀，金属沉积，去除和键合的微纳制造工艺制备太赫兹频段全金属慢波结构器件。本发明适用300GHz以上太赫兹频段慢波结构的加工，在表面平坦度、底面平整度、侧壁粗糙度，侧壁垂直度等关键参数指标有较大提升；由于SOI衬底中间有一层薄绝缘层，既可作为刻蚀节点又保证了底面的均匀性，减小器件的射频损耗；可形成全金属的慢波结构，能够避免金属起皮现象，提高工作寿命；可一次制备全高金属结构，避免了慢波结构对准引起的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316740A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311339316.9
(22)申请日2023.10.16
(71)申请人太锐芯科技(青岛)有限公司
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