1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法.pdfVIP

  • 50
  • 0
  • 约1.06万字
  • 约 13页
  • 2023-12-30 发布于四川
  • 举报

液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法.pdf

    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及液相法碳化硅长晶过程消除气泡包裹的方法。长晶依托于长晶装置，包括炉体，炉体内设有用于盛放长晶原料的石墨坩埚，石墨坩埚上方设有籽晶杆，一籽晶托，设于籽晶杆一端，籽晶托上设有碳化硅籽晶，加热装置，用于提供晶体生长所需温度，抽真空装置，用于提供晶体生长所需真空环境；消除气泡包裹的方法包括如下步骤：a装料、b化料、c回熔、d提拉、e旋转、f再回熔、g长晶、h待晶体生长完成，进行冷却，冷却后取下晶体，完成长晶。本发明提供的方法，长晶过程中消除籽晶表面气泡，使籽晶表面光

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117305987A

    (43)申请公布日2023.12.29

    (21)申请号202311611073.XC30B15/00(2006.01)

    (22)申请日2023.11.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >