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- 2023-12-30 发布于四川
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本发明提供一种宽禁带半导体中子探测器及其制备方法，上述的宽禁带半导体中子探测器包括衬底、氧化镍层、外延层、高阻层、导电层、转换层及钝化层；外延层设于衬底上；氧化镍层设于衬底的底部；外延层背离衬底的一侧设有深沟槽，深沟槽沿第一方向延伸，高阻层沿深沟槽的槽壁和台面覆盖布设，导电层嵌设于位于台面处的高阻层中；转换层沿第一方向延伸填充于深沟槽内；钝化层盖设于外延层、高阻层和转换层的上表面。该探测器不但能减小探测器本身的暗电流大小，也能提高探测器抗辐照能力，探测器内部集成的有电流放大功能，使得从输出端流出
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117310785A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311183542.2
(22)申请日2023.09.13
(71)申请人湖北九峰山实验室
地址4300
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