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本申请涉及半导体发光器件技术领域，公开了一种Micro‑LED芯片结构及其生长方法，旨在解决现有终端设备的数据获取方法存在准确性和安全性较差的问题，方案主要包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、P‑GaN层、分布式布拉格反射器和氧化铟锡层，所述蓝宝石衬底和P‑GaN层之间的一侧由下至上依次设置有N‑GaN阴极结构、N‑GaN层和多量子阱层，所述蓝宝石衬底和P‑GaN层之间的另一侧设有P‑GaN阳极结构，所述氧化铟锡层上方刻蚀有介质柱光子晶体结构。本申请能够提高Micro‑LED的发光效率，并且结构简
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117317109A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311551651.5
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人四川启睿克科技有
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