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2023-12-30 发布于四川
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发光二极管及其制作方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。所述发光二极管包括：依次层叠在衬底表面的缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、ITO层和第一钝化层，第一钝化层包括依次层叠的带负电的第一Al2O3层和带正电的第一SiO2层，第一Al2O3层采用原子层沉积ALD技术制成，第一SiO2层采用增强型等离子体化学气相沉积PECVD技术制成；反射银层位于第一钝化层表面并贯穿第一钝化层与ITO层连接；第二钝化层位于反射银层与第一钝化层表面，第二钝化层包括依次层叠的第二SiO2层与第二Al2O3

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117317095A

(43)申请公布日2023.12.29

(21)申请号202311277416.3

(22)申请日2023.09.28

(71)申请人华灿光电（苏州）有限公司

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