GB/T 1550-2018非本征半导体材料导电类型测试方法.pdf

ICS77.040

H21

中华人民共和国国家标准

GB(T1550-2018

代替GB/T1550-1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/f1550-2018

a

目。

在司

一

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法》．与GB/T1550-1997相比

主要技术变化如下．

一一适用范围修改为“本标准适用于硅、绪非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体

材料可参照本标准测试”（见第1章，1997年版的第1意）；

一一增加了术语和定义〈见第3章）；

一一将原标准的1.2～1.9修改为＂4.1总则”（见4.1.1997年版的1.2～l.9);

一一修改了方法A、方法D1、方法队的适用范围（见4.1.2、4.1.5、4.1.6,1997年版的1.3、1.6、1.7);

一一增加了方法EC表面光电压法冲rn试导电类型（见4.1.7、＜LS、5.5、7.6、9.5);

一一增加了“如果采用9.1～9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度．则表明试样表

而无f占污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表丽已被沾污或有氧化层，可采

用8.2中的方法对试样表面进行处理。”（见9.6);

一一增加了试验结果的分析（见第10章〉。

:;f立标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会＜SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会CSAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本标准起草单位：乐山市产品质量监督检验所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟

米莱伯贸易（上海）有限公司、浙凯淘·纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发

展有限公司、峨峭半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中错科技有限公司、云南冶金云芯硅材

股份有限公司、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。

本标准主要起草人：梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红差事、邱拖梅、刘晓霞、杨旭、

张园园、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

一一－GB1550-1979、GB/f1550-1997;

一一－GB5256-1985。