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GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应研究与模拟的开题报告

研究目的：

本课题旨在研究GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应特性及其对器件性能的影响。通过模拟和实验方法，探索GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应规律，并提出相应的优化方案，以提高其性能和应用价值。

研究内容：

1.对GaN基高电子迁移率场效应晶体管的电学、光学等基本性能进行分析和研究。

2.通过制作样品，在室温和高温条件下对GaN基高电子迁移率场效应晶体管的电学性能进行试验研究，并对其热响应特性进行分析。

3.基于有限元分析方法，对GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应进行数值模拟，分析其导致器件性能变化的机理。

4.通过比较和总结实验结果和数值模拟结果，探讨和评估不同因素对GaN基高电子迁移率场效应晶体管的影响及其优化方案，提高其性能和应用价值。

预期成果：

1.分析和评估GaN基高电子迁移率场效应晶体管的电学、光学等基本性能及其实验热响应特性，为探索其优化方案奠定基础。

2.通过数值模拟，探究GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应机理，并提出相应的应对措施。

3.研究成果可为GaN基高电子迁移率场效应晶体管的制备和应用提供依据和指导，具有重要的理论和实际意义。

研究方法：

1.制备GaN基高电子迁移率场效应晶体管样品，通过实验方法，测试器件的电学性能。

2.通过光学显微镜、扫描电子显微镜等手段，对制备好的样品进行结构表征，探索器件性能的形成机理。

3.基于ANSYS等软件，利用有限元方法对GaN基高电子迁移率场效应晶体管的热响应进行数值模拟，分析其性能变化的机理。

4.对实验结果和数值模拟结果进行分析和总结，制定优化方案。