GB/T 1553-2023硅和锗体内少数载流子寿命的测定　光电导衰减法.pdf

ICS77.040

CCSH21GB

中华人民共和国国家标准

GB/T1553一2023

代替GB/T1553-2009

硅和错体内少数载流子寿命的测定

光电导衰减法

Testmethodsforminoritycarrierlifetimeinbulksiliconandgermanium-

Photoconductivitydecaymethod

2023-08-06发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局4非

国家标准化管理委员会也叩

GB/T1553-2023

目。吕

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件代替GB/T1553-2009《硅和铭－体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》，与GB/T1553-

2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

a)更改了范罔（见第l章，2009年版的第1章〉；

b)增加了术语和定义中直观寿命、少数载流子寿命、载流子复合寿命、注入水平的定义（见第3

章），删除了表现寿命的定义（见2009年版的3.1），更改了体寿命的定义（见3.2,2009年版的

3.2);

c)更改了干扰因素中陷阱效应、光生伏特效应、温度、电导率训幅效应、扫出效应、光源的波长和

关断特性、滤光片的影响（见4.1、4.4、4.5、4.10～4.132009年版的5.1、5.4、5.7、5.3、5.6、5.5

5.9），增加了注入比、电阻率、样品表面、样品尺寸、载流子浓度变化、加水的影响、不同寿命测

试方法间的关系（见4.2、4.3、4.7、4.8、4.14～4.16);

d)更改了方法原理（见5.1,2009年版的第4章）；

巳）更改了研磨材料（见5.2.2,2009年版的7.1.2);

。更改了光滑、、电椒、语：光片放jj位置（见5.3.2.1～5.3.2.4,2009年版的6.2、6.3、6.5），删除了恒

温器、研磨设备、清洗和干燥设备（见2009年版的6.4、7.6、7.7)，增加了计算机及软件系统（叨a

5.3.2.6);

g)增加了试验条件（见5.3.4);

h)更改了试验步骤中温度的要求（见5.3.5.1,2009年版的8.1);

i)更改了直流光电导衰减－脉冲光方法的精密度（见5.3.7,2009年版的第11章）；

j)更改了高频光电导测试系统示意图（见6.2.1,2009年版的A.3.1);

k)更改了光脉冲发生装置、光学系统、高频电源、检披器的要求（见6.2.2.l～6.2.2.4,2009年版的

A.3.2～A.3.日，增加了宽频放大器、取样器、示披器或计算机及软件系统测试装置（见6.2.2.5～

6.2.2.7);

I)增加了样品要求（见6.3);

m）增加了试验条件中相对湿度的