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4H-SiC功率UMOSFET关键工艺研究及器件制备

梢棚的刻蚀工艺是制备4H-SiC功率UMOSFET的头键工艺之一，刻蚀形成的粗棚的表面阮榄，垂H度，以及刻蚀深度的质蜇等都会对4H-SiC功率UMOSFET的性能产生严顶的影II向。由干SiC材料的机械硬度高、化学稳定性好，因此目前SiC刻蚀主要采用干法刻蚀技术。常用的干法刻蚀技术主要有，反应离子刻蚀(RJE)、电子回旋共振等离子体刻蚀(ECR)，以及感应耦合等离子体刻蚀(lCP)。其中ICP刻蚀在SiC刻蚀中应用最广泛阳钮．ICP刻蚀的主要优点是，刻蚀速率快，刻蚀损伤小，各向异性窝，刻蚀表面均匀等优点阳l。本节中采用的刻蚀设备为英国STS公司的ICPASE.

6.2.0ICP刻蚀：1

作原理

图6.4为ICP刻蚀机的结构示意图，ICP刻蚀实质上是一种物理化学刻蚀相结合的刻蚀过程。刻蚀的过和主要包括：I)化学刻蚀过程，刻蚀气体如CF4,SI沁

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等气 体通过辉光放电过桯产生活化自由基、亚稳态离子等，然后这些活性离子

与被刻蚀材料表面发生化学反应过程：2）物理刻蚀过程，等离子体对被刻蚀材料表面的轰击，该轰击过程对活性离子与材料的反应只有推动作用，起到了打断化学键，增加附沿·VI，加速反应物脱落及除去表曲反应残留物的作用限66l。化学反

应过程土婓与源功率W1有关，而物理刻蚀过程主要与偏压源功率W2有关。ICP刻蚀采用的刻蚀气体主要有CF4,SF6,NF3等狱基气体，或者饭基气休与02,Ar气的混合气体。本节刻蚀剂采用的是SF社02O

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图6.4 ICP刻蚀机原理示慈[图6.7]

6.2.l刻蚀实验设计及工艺流程

本刻蚀实验以研究了lCP偏压源功率，源功率，S氏与02气体流觉和刻蚀掩膜等参数对4H-SiC刻蚀后的表面粗糙度，侧壁垂直度以及刻蚀速率的影响，设计了7组不同刻蚀工艺的对比试验，如表6.1所示。实验采用的材料为天科合达

的N型4仕SiC衬底，衬底品向偏离(0001)5°, Si面，衬底厚度约350μm. 0卞要的T艺流程如下·

(I) 用丙酮＋酒精超生浩洗S111in，出去表面有机污染物，

(2) 标准RCA清洗，

(3) 涂胶光刻；

(4) 磁控溅射刻蚀掩膜金屈2000A(Al或者Ni);

（5) 剥离形成刻蚀创口；

(6) 不同工艺参数的ICP刻蚀，表6-1为lCP刻蚀不同工艺参数，

去除刻蚀掩膜层，消洗成光片；

(8) 台阶仪、轮削仪，SEM测试，

表6.1ICP玄I蚀不同工艺参数列表

纸号 汲功率(W) 偏压功平(w) SF6/02I# 400 100 24/6sccm

2# 500 100 24/6sccm

3# 650 100 24/6sccm

4# 850 so 48/12sccm

5廿 850 100 48/12sccm

6# 850 150 48/12sccm

7# 850 200 48/12sccm

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\V1(W) (a) W,(W) (b)

图6.S 刻蚀速平与JCP刻蚀沥功率WI的关系(a)．刻蚀迷率与保压功半W2的关系(b)

62.3测试结果及分析

图6.5( a) 为偏压 源功率100\V,SFJ02=24/6sccm时刻蚀速率与ICP刻蚀源功率W1的关系。可以看出，刻蚀速率随若刻蚀源功率的增加而培加。这斗要是由干源功率的培大可以导致活件等离子体的浓度培加，进而可以加速了反应刻蚀过程中的化学反应部分．图6.5(b)为源功率850W,SF6102 48/!2scc m时的刻蚀速率与偏压源