器件物理课程设计.pdf

课程设计

课程名称微电子器件与工艺课程设计

题目名称npn双极型晶体管的设计

npn双极型晶体管的设计

目录

1．设计任务书2

1.1内容2

1.2要求与数据2

1.3应完成的工作2

1.4主要参考文献3

2．物理参数计算3

2.1.各区掺杂浓度及相关参数的计算3

2.2少子的迁移率4

2.3少子的扩散系数4

2.4少数载流子的扩散长度5

2.5各区的厚度5

2.5.1集电区厚度Wc5

2.5.2基区宽度WB6

2.6扩散结深9

2.7电阻率10

3．实际器件设计10

3.1硅片选择10

3.2图形结构10

3.3各区面积11

4.工艺参数计算11

4.1基区硼扩散11

4.1.1预扩散11

4.1.2再扩散13

4.1.3氧化层厚度13

4.2发射区磷扩散13

4.2.1预扩散13

4.2.2再扩散14

4.2.3氧化层厚度15

4.3氧化时间15

4.3.1基区氧化15

4.3.2发射区氧化16

5、设计参数总结17

6、工艺流程18

6.1主要流程18

6.2清洗工艺22

6.3氧化工艺23

6.4光刻工艺25

6.5硼扩散工艺(基区扩散)27

6.6磷扩散工艺(发射区扩散）29

7.版图设计31

7.2发射区掩膜板31

7.3接触孔掩膜版32

8.总结与体会32

1

npn双极型晶体管的设计

1．设计任务书

题目名称npn双极型晶体管的设计

学生学院材料与能源学院

专业班级

姓名

学号

1.1内容

设计一个均匀掺杂的npn型双极晶体管，使T=300K时，

h=120,BV=80V.晶体管工作于小注入条件下，设计时应尽量减小基区宽度调

feCBO

制效应的影响。

1.2要求与数据

1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则

2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度N,

E

NB,和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命

等。

3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度

W，基本宽度W，发射区宽度W和扩散结深X,发射结结深X等。

cbejcje

4．根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散

的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化

时间。

5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基

区、发射区和金属接触孔的光刻版图。