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CMP 浆 料 的 研 究 现 状 和 发 展 趋 势
CeOz-Zr02复合氧化物,并且评价了其对K9玻璃和FI玻璃的抛光性能日得到这样的结论,当煨烧温度为uoo它,钟铝物质的盘比为1;1时,所得复合筑化物
具有录好的抛光效果,表现出明显的协同抛光性能。强化球磨和缎烧可促进单斜相氯化镕向四方相氧化钳稳定的氧化铝固熔体和立方相掺铅颂化铺固熔体的相转变,随若娥烧温度的升商,粉体颗粒由分散性好的类球形向不规则团聚体转变。柴明霞阳]等以碳酸饰飞正硅酸乙酪和氨水为肛料,采用沉淀法制备出了SiO2=CeO2复合氧化物,并用于光学玻璃的化学机械抛光。发现,随巷Si(}:,,掺入的增加,合成复合筑化物的比表面和团聚颗粒粒度培大,当硅钟的质呈比为
2: 1,缎烧温度为800它时,由氧化硅与氧化铺形成的具有立方萤石型结构的固溶体对材料具有最好的抛光效果。
根据上面介绍的关于化学机械抛光技术和各种新型复合氧化钝抛光粉制备以及抛光浆料的研究现状和发展趋势,我们可以坚定:基于稀土氧化铸的抛光材料以及相关CMP技术的发展仍然有很大的发展和应用潜力,无论是应用于光学玻璃这一领域,还是在商速发展的半导体和信息产业这些领域谭氧化锦基抛光粉将占有者举足轻重的亟要作用,
抛光过程涉及材料本身的性质、流体的理化作用、磨料的特性以及抛光立的特性等等n,因此,对于这些相互作用的说明需要从不同的角度,同时配以不同的方法综合考虑来进行研究[9生Ev血s等体]分别从抛光工件、流体、研磨粒子等方面综述了抛光过程中材料去除的机制口他们指出,流体的物理特性会影响到抛光过程中材料的传输和本身的流体动力,像流体的黏度、密度、热导性等等都会影响到抛光的压力和温度等参数,不同的化学流体又会产生不同的影响;同时,固体启料有不同的品型j 单品、多晶以及不固的相组成都会有不同的材斗去除效果,如果是包翟的话,又存在有机质包匿和硬质包器;对于不同的抛光垫对不同的材料的去除效果也不相同,。基于以上这些问题,目前提高CMP抛光效率和褚度的主要方法和途径可以通过一些方法实现,比如j 将两种传统的抛光磨料与有机聚合物粒子进行混合配制成混合抛光磨料伶或通过粒子的掺杂、包稷以及表面改性等手段合成纳米复合磨料,这是目前新型抛光液的配方研究
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