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第二章晶体结构缺陷习题

4.（a）在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，计算

在25℃和1600℃时热缺陷的浓度。（b）如果MgO晶体中，

含有百万分之一mo的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体

中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。

解：（a）根据热缺陷浓度公式：

exp（－）

由题意△G=6ev=6×1.602×10-19=9.612×10-19J

K=1.38×10-23J/K

T1=25+273=298KT2=1600+273=1873K

298K：

exp=1.92×10-51

1873K：exp=8×10-9

（b）在MgO中加入百万分之一的Al2O3杂质，缺陷反应

方程为：

此时产生的缺陷为

[]杂质。

]杂质而由上式可知：

[Al2O3]=[

∴当加入10-6Al2O3时，杂质缺陷的浓度为[]杂质

=[Al2O3]=10-6

]热=8×10-9由（a）计算结果可知：在1873