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热处理装置.pdfVIP

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  • 2024-01-03 发布于四川
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热处理装置.pdf

    本发明提供一种能效率良好地将衬底加热的热处理装置。在收容半导体晶圆(W)的腔室(6)的上侧，设置具备多个闪光灯(FL)的闪光加热部(5)，且在下侧，设置具备多个VCSEL(垂直谐振器型面发光激光器)(45)的辅助加热部(4)。通过来自VCSEL(45)的光照射将半导体晶圆(W)预备加热后，从闪光灯(FL)对半导体晶圆(W)的表面照射闪光，将所述表面瞬间升温。VCSEL(45)与LED相比，也能出射相对高强度的光。因此，如果能从多个VCSEL(45)进行光照射，那么照射到半导体晶圆(W)的光的强度

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117334601A

    (43)申请公布日2024.01.02

    (21)申请号202310749424.7H01L33/00(2010.01)

    (22)申请日2023.06.

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