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本发明的实施例公开一种半导体结构，包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上且由隔离部件隔开的第一有源区和第二有源区；以及在半导体衬底上形成的场效应晶体管。场效应晶体管还包括设置在所述半导体衬底上且从所述第一有源区延伸到所述第二有源区的栅叠件；源极和漏极形成在所述第一有源区上所述栅叠件介于源漏极之间。该半导体结构还包括在所述第二有源区上形成并且被配置为所述场效应晶体管的栅极接触件的掺杂部件。本发明的实施例还公开一种形成半导体结构的方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109801961A
(43)申请公布日
2019.05.24
(21)申请号20181
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