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本发明公开了一种用于半导体工艺中显影后的硅片检测装置，包括两个平行设置的线扫相机，其内部分别包括感光元件、成像镜头；两个线扫相机的感光元件长轴平行且共线；每个线扫相机的感光元件长轴与其成像镜头的光轴垂直且共面；直线运动平台运动方向与成像镜头光轴方向平行；还包括两个反射镜和两个光源；两个光源入射至硅片后，反射光通过第二反射镜反射之后，再经过第一反射镜分别反射至两个平行设置的成像镜头。本发明提出的用于显影后检测的装置，可对显影后的硅片的图形和缺陷进行检测，提高半导体工艺的良品率，并且具有结构紧凑，高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111430259A
(43)申请公布日
2020.07.17
(21)申请号20201
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