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氮化镓〔GaN〕工程可行性争论报告
氮化镓〔GaN〕工程
可行性争论报告
xxx实业进展公司
摘要
氮化镓〔GaN〕是极其稳定的化合物，又是坚硬和高熔点材料，熔点为1700℃。GaN具有高的电离度，在三五族化合物中是最高的〔0.5或0.43〕。在大气压下，GaN晶体一般是六方纤锌矿构造，由于其硬
度大，所以它又是一种良好的涂层保护材料。GaN具有精彩的击穿力量、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度。GaN的能隙很宽，为3.4eV，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。
GaN是一种III/V直接带隙半导体，通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。具体而言，微
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