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本发明公开了一种基于CMOS工艺流程的嵌入式铁电存储器的集成方法，属于半导体存储器技术领域。本发明在不影响CMOS电路性能、不新增光刻版、不增加铁电存储器单元面积的前提下，利用CMOS逻辑工艺平台已有技术，在片上嵌入式集成大面积的铁电存储器，该大面积铁电存储器的版图面积不超出控制其操作的晶体管面积。因此解决了在CMOS逻辑工艺平台将大面积铁电存储器与传统CMOS器件混合集成的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117337047A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311437100.6
(22)申请日2023.11.01
(71)申请人北京大学
地址100871
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