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对碳化硅半导体衬底进行等离子蚀刻的方法和设备.pdfVIP

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  • 2024-01-03 发布于四川
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对碳化硅半导体衬底进行等离子蚀刻的方法和设备.pdf

    本申请案涉及对碳化硅半导体衬底进行等离子蚀刻的方法和设备。本发明提供一种等离子蚀刻碳化硅半导体衬底的方法和用于等离子蚀刻碳化硅半导体衬底的等离子蚀刻设备。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117334575A

    (43)申请公布日2024.01.02

    (21)申请号202310748331.2H01J37/32(2006.01)

    (22)申请日2023.06.

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