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本发明提供了一种车规级MEMS压力传感器芯片的工艺方法，包括：S1，在P型衬底上设置P型外延片，在所述P型外延片上形成钝化层；S2，使用光刻胶在所述钝化层上制作刻蚀掩蔽层，并在所述掩蔽层上刻出接触孔；S3，在等离子体刻蚀设备中溅射AL膜，磁控溅射淀积形成金属层；S4，在接触孔顶端设置PAD，腐蚀除PAD外的金属层；S5，在所述掩蔽层上腐蚀形成深槽，形成硅应变电阻的电阻体；S6，在所述深槽反应离子刻蚀形成硅应变结构gauge的敏感薄膜；S7，对所述金属层退火处理形成欧姆接触；S8，对背面进行腐蚀处
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117326520A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311297530.2
(22)申请日2023.10.09
(71)申请人江苏致芯微电子技术有限公司
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