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一种改善二氧化硅基底显影后飘胶的方法.pdfVIP

一种改善二氧化硅基底显影后飘胶的方法.pdf

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    本发明涉及半导体制程中的光刻工艺技术领域，具体公开了一种改善二氧化硅基底显影后飘胶的方法，包括以下步骤：将实验所用的二氧化硅薄膜，利用等离子清洗机进行清洗；将清洗后的二氧化硅薄膜衬底进行甩干；甩干后的衬底在热板上进行烘烤；进行正常涂胶、曝光操作；将曝光后的衬底进行单片式显影；本发明通过增加二氧化硅和光刻胶之间的黏附性，保障当光刻一些线宽较小的图形时，避免光刻胶条发生脱落的现象，进而避免二氧化硅基底显影时发生脱胶的现象，进而提高企业的生产效率，减少了生产成本。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117331289A

    (43)申请公布日2024.01.02

    (21)申请号202311089366.6

    (22)申请日2023.08.28

    (71)申请人浙江芯科半导体有限公司

    地址3

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