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本发明公开了一种背照式图像传感器及其制备方法，该背照式图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；设于半导体衬底内的感光单元和物理隔离槽，以及半导体衬底上第一介质层中的晶体管电路和金属互连层；位于半导体衬底内且靠近所述背表面的深槽隔离和金属栅格；所述深槽隔离和金属栅格相接，且深槽隔离和金属栅格在所述物理隔离槽上方；覆盖金属栅格和所述背表面的第二介质层。当光线从半导体衬底背面进入感光单元，较长波段的光线在穿过感光单元时受到位于感光单元上方的金属栅格的反射，使得光线又能够再次回到感
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352521A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202211710895.9
(22)申请日2022.12.29
(71)申请人上海微阱电子科技有限公司
地址2
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