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本发明公开了一种背照式图像传感器及其制备方法，该背照式图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；接近半导体衬底的正表面，且设于半导体衬底内的感光单元、传输管和存储节点；位于半导体衬底内的沟槽式电容结构；所述沟槽式电容结构靠近所述正表面的一侧，且在所述感光单元上方；位于半导体衬底正表面上的金属互连层和介质层；位于介质层中的金属电容结构。该结构中的沟槽式电容结构可以向感光单元反射从半导体衬底背面入射的光线，有利于提高其光吸收效率，进而实现小尺寸像元的高容值高满阱高动态范围。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352520A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202211710892.5
(22)申请日2022.12.29
(71)申请人上海微阱电子科技有限公司
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