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本发明的磁存储元件(100)包括：反铁磁性层(110)，层叠在基板(2)上、由具有磁矩倾斜的磁序的倾斜的反铁磁性体构成；重金属层(120)，层叠在反铁磁性层(110)上，由表现出自旋霍尔效应的非磁性重金属构成；以及重金属层(120)上的氧化物层(130)。反铁磁性层(110)和重金属层(120)的界面粗糙度为1.0nm以下。当写入电流沿面内方向流向重金属层(120)时产生自旋流，通过由自旋流产生的自旋轨道矩作用于反铁磁性层(110)的磁序，从而磁序能够反转。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117356199A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202280027992.X(74)专利代理机构北京海智友知识产权代理事
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