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一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法.pdfVIP

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  • 2024-01-06 发布于四川
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一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法.pdf

    本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种在InP衬底上分子束外延生长InGaAs、InAlAs、InGaAlAs的定标方法。所述定标方法包括：进行定标结构1和定标结构2的生长并分别进行X射线双晶衍射的测量和摇摆曲线模拟，得到各外延层的实际组分配比以及生长速率，由此确定式(1)和式(2)，再结合组分匹配条件计算获得In(1‑x0)Gax0As和In(1‑y0)Aly0As的生长速率GR(Gax0)和GR(Aly0)以及与衬底InP晶格匹配的In(1‑x‑y)GaxAlyAs的生长速率GR(Gax

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117344377A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202311434747.3

    (22)申请日2023.10.31

    (71)申请人粒芯科技（

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