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本申请提供一种外延生长方法和P型硅外延结构，该方法包括：提供一P型半导体衬底；将所述P型半导体衬底在氢气氛围下进行第一次高温热处理，通入第一硅基气体并以磷烷作为掺杂气体在所述P型半导体衬底上生长重掺磷外延硅层；在氢气氛围下进行第二次高温热处理生成磷化氢，以去除所述重掺磷外延硅层表面残留的磷原子和含磷副产物；在氢气氛围下进行第三次高温热处理，通入第二硅基气体并以硼烷作为掺杂气体在去除所述磷原子和含磷副产物后的所述重掺磷外延硅层上生长轻掺硼外延硅层。本申请减少重掺磷外延硅层与轻掺硼外延硅层界面处的损
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352371A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311309669.4
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人湖北江城芯片中试服务有限公司
地址
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