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本发明公开了一种基于仿真的单粒子软错误分析方法和装置，该方法包括：接收输入参数，并根据输入参数为待测试集成电路系统配置相应的基本参数；对Verilog代码进行一次非注入的基准测试，并通过标准的VCD文件记录Verilog代码的正确行为；采用基本参数并基于逻辑综合工具的反标方法以及图遍历方法实现单粒子效应在寄存器传输级层次以及门级层的建模，确定待测试集成电路系统中各器件发生单粒子效应的悲观概率。本发明可实现由单粒子翻转以及单粒子瞬态在内的单粒子效应所导致的软错误在计算机仿真中的建模，将传统的单粒子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117350222A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311659069.0
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人苏州珂晶达电子有
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