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模电试题
三、计算题(每题10分,共60分)
某放大电路输入电阻Ri=10kΩ,如果用1μA电流源驱动,放大电路短路输出电流为10mA,开路输出电压为10V。求放大电路接4kΩ负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。
二极管电路如图题所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。
电路如图题所示,设BJT的β=80,V
=0.6V,I
BE CEO
、V 可
CES
忽略不计,试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时,BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流Ic。
电路参数如图所示,FET工作点上的互导g
m
=1ms,设rR
d
。(1)
d
画出电路的小信号模型;(2)求电压增益Av;(3)求放大器的输入电阻Ri。
氯[解](1)Ci,C2,C3交流短路,故小信号等效电路如图4.22所示。
氯
八n id
IOk·--牍一.i屯R引Rg2v`+
IOk
·--
牍
一.
i
屯
R引
Rg2
v`
+
VI
lgQ
RK
。
0031卜2四知g
c
2
T+0 l”
28QRK
28Q
RK
001
(2)由欧姆定律:
V。=-gmVg,,?Rd,V;=兑+gm江R1
Av=
Av= tV。=— 己 l X10
l+gmRl=- 1+1X2~—3.33
图4.22
(3)输入电阻
Ri= Rgs+ (RglIIRg2) = 3X106 + 300X100X106
(300+100)X103
2.075M.0,
电路如图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压Vo的值。
100kO5
100kO
5尧
=O. 8
VO
[解] A1级,儿级分级计算,A1级:加 = 0,立=V+= 0所以
VOl- V_
Rf1
v_—vS1
=R
=
,V01
=-杻
R1
VSl
级:由虚短断知,V = V+= 屯s2 所以
竺立 V_—Vo
R2 Rf2
将江=Vs2 代入上式整理得
R2Vo= 卢R2+1)匹—皇 。1
R2
所以输出电压:
由运放组成的BJT电流放大系数β的测试电路如图所示,设BJT
的V =0.7V。(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值;(2)若电压表
BE
读数为200mV,试求BJT的β值。
一、选择题(每题2分,共20分)
PN结加正向电压时,PN结将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体。
A.五价B.四价C.三价
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
工作在放大区的某三极管,如果当I
B
从12μA增大到22μA时,
I从1mA 变为2mA,那么它的β约为。
C
A.83 B.91 C.100
已知变压器副边电压有效值U2为10V,采用桥式整流RLC≥3(T/2)
(T为电网电压的周期)。测得输出电压平均值UO可能的数值为A.14V B.12V C.9V D.4.5V
功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大。
A.交流功率B.直流功率C.交直流功率
功率放大电路的转换效率是指。A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
在OTL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功
放管的集电极最大功耗约为。A.1W B.0.5W C.0.2W
二、判断题(每题2分,共20分)
因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(╳)
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√)
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。(√)
若耗尽型N沟道MOS 管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变
小。(╳)
只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;(╳)
可以
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