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本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:S1:在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积;S2:将硼和磷的化合物混合制备溶液,并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜;S3:使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底,诱导薄膜中不同化合物的分解,实现选择性掺杂;S4:双面钝化氧化铝和氮化硅;S5:表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化,依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极,然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117374158A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311344505.5
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人扬州大学
地址225009
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