GAN HEMT器件热阻模型构建方法及装置、存储介质和终端.pdfVIP

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2024-01-10 发布于四川
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本发明公开了一种GANHEMT器件热阻模型构建方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括构建GaNHEMT器件参数构建晶体管三维模型；确定GaNHEMT器件的介质区、衬底区和金属区；基于半导体传热理论及拉普拉斯方程获取介质区的热阻模型以作为介质热阻子模型，并基于半导体传热理论及拉普拉斯方程获取衬底区的热阻模型以作为衬底热阻子模型；基于优化修正项的拉普拉斯方程获取金属区的热阻模型以作为金属热阻子模型；基于介质热阻子模型、衬底热阻子模型和金属热阻子模型获取GaNHEMT器件的热阻模型。采用物理

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117371397A

(43)申请公布日2024.01.09

(21)申请号202311676373.6G06F119/08(2020.01)

(22)申请日2023.12

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