6.1晶体管的特性与识别.pptxVIP

目录分立元件放大电路二极管和三极管6.1

6.1二极管和三极管一、半导体概述1.导体分类2.本征半导体导体：电的良导体，如纯金属及其合金、酸碱盐水溶液等。导电材料分类绝缘体：电的不良导体，如陶瓷、橡胶等。半导体：?导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如硅、锗、砷化镓等。纯净的（无杂质）晶体结构（稳定结构）的半导体。如硅、锗单晶体。Si28Ge2818

6.1二极管和三极管2.本征半导体纯净的（无杂质）晶体结构（稳定结构）的半导体。如硅、锗单晶体。+4+4+4+4自由电子空穴空穴本征半导体晶体共价键载流子：运载电荷的粒子，共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚。本征激发（热激发）：受温度、光照等环境因素的影响，半导体共价键中的价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键上留下空位的现象，称之为本征激发。复合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。自由电子：由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚空穴：自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，两种载流子自由电子：在共价键以外运动空穴：在共价键以内相对运动

6.1二极管和三极管本征半导体特点1.本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少；2.半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电；3.本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外界条件有关。

6.1二极管和三极管3.N型半导体载流子数?电子数磷原子自由电子+5+4+4+4+4+4自由电子：多数载流子空穴：少数载流子在硅或锗的晶体中掺入五价元素磷。4.P型半导体+4+4+4+4+4+3硼原子空穴在硅或锗的晶体中掺入三价元素硼。自由电子：少数载流子空穴：多数载流子载流子数?电子数

6.1二极管和三极管5.PN结形成扩散运动：由电子和空穴浓度差引起的载流子运动。扩散运动形成空间电荷区——PN结漂移运动：载流子在电场力作用下引起的运动。内电场有利于少子运动扩散运动与漂移运动达到动态平衡。耗尽层

6.1二极管和三极管6.PN结单向导电性PN外加正向电压(正向偏置)PN外加反向电压(反向偏置)PN结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大;反偏截止，电阻很大，电流近似为零

6.1二极管和三极管二、二极管结构与类型PN结+引线+管壳=二极管构成P区的引出线称为阳极，N区的引出线称为阴极。符号箭头符号表示PN结正偏时电流的流向分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型+–

6.1二极管和三极管三、二极管的伏安特性及主要参数iD=0U?Uth0?U?Uth（死区电压）U（BR)?U?0iD0.1?A(硅)几十?A(锗)U（反向击穿电压）U（BR）反向电流急剧增大(反向击穿)OuD/ViD/mA正向特性Uth反向特性U(BR)Uth0.1V(锗管)0.5V(硅管)iD急剧上升伏安特性反向击穿类型：电击穿热击穿—PN结未损坏，断电即恢复。—PN结烧毁。Uon导通电压Uon硅管约为0.6～0.8V;锗管约为0.1～0.3V;二极管最大特点：单向导电性

6.1二极管和三极管二极管的主要参数2.URM—最高反向工作电压，为U(BR)/23.IRM—最大反向电流(二极管加最大反向电压时的电流，越小单向导电性越好)4.fM—最高工作频率(超过时单向导电性变差)iDuDU(BR)IFURMO1.IF—最大整流电流(最大正向平均电流)

6.1二极管和三极管半导体二极管特性的测试用数字式万用表检测红表笔是(表内电源)正极，黑表笔是(表内电源)负极。2k20k200k2M20M200?在挡进行测量，当PN结完好且正偏时，显示值为PN结两端的正向压降(V)。反偏时，显示?。

6.1二极管和三极管四、特殊二极管1.发光二极管工作条件：正向偏置符号发光类型：可见光：红、黄、绿不可见光：红外光

6.1二极管和三极管2.光电二极管工作条件：反向偏置符号特性uiO暗电流E=200lxE=400lx3.稳压二极管符号工作条件：反向击穿在反向击穿状态下，让流过管子的电流在一定的范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以达到“稳压”的效果。

6.1二极管和三极管五、三极管结构与类型1.结构基极BNNP发射极E集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区NPN型ECB各区主要作用及结构特点：发射区：作用：发射载流子