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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、外延叠层、第一绝缘层、第一电极、第二绝缘层、第二电极、隔离结构、第一焊盘和第二焊盘；其中，第二电极的一部分与第一半导体层连接，另一部分位于第二绝缘层的远离衬底的一侧；隔离结构与第二电极同层布置，且与第二电极绝缘；第一焊盘与第一电极连接，第二焊盘与第二电极连接，第二焊盘在衬底的表面的正投影、隔离结构在衬底的表面的正投影和第一电极在衬底的表面的正投影部分重合。本公开能提高发光二极管芯片的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117374188A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311271893.9
(22)申请日2023.09.27
(71)申请人华灿光电（浙江）
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